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G2R1000MT17D
Silicon Carbide MOSFET, Single, N Channel, 4 A, 1.7 kV, 1 ohm, TO-247
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제품 정보
제조업체GENESIC
제조업체 부품 번호G2R1000MT17D
주문 코드3598643
Product RangeG2R
기술 데이터 시트
MOSFET Module ConfigurationSingle
Channel TypeN Channel
Continuous Drain Current Id4A
Drain Source Voltage Vds1.7kV
Drain Source On State Resistance1ohm
Transistor Case StyleTO-247
No. of Pins3Pins
Rds(on) Test Voltage20V
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation53W
Operating Temperature Max175°C
Product RangeG2R
SVHCLead (19-Jan-2021)
기술 사양
MOSFET Module Configuration
Single
Continuous Drain Current Id
4A
Drain Source On State Resistance
1ohm
No. of Pins
3Pins
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
Operating Temperature Max
175°C
SVHC
Lead (19-Jan-2021)
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
1.7kV
Transistor Case Style
TO-247
Rds(on) Test Voltage
20V
Power Dissipation
53W
Product Range
G2R
기술 문서 (1)
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:United States
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:United States
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:Lead (19-Jan-2021)
제품 준수 증명서 다운로드
제품 준수 증명서
무게(kg):.008187