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G3F17MT12FB2
Silicon Carbide MOSFET, Half Bridge, N Channel, 68 A, 1.2 kV, 0.023 ohm, Module
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제품 정보
제조업체GENESIC
제조업체 부품 번호G3F17MT12FB2
주문 코드4716169
Product RangeSiCPAK F Series
기술 데이터 시트
MOSFET Module ConfigurationHalf Bridge
Channel TypeN Channel
Continuous Drain Current Id68A
Drain Source Voltage Vds1.2kV
Drain Source On State Resistance0.023ohm
Transistor Case StyleModule
No. of Pins18Pins
Rds(on) Test Voltage18V
Gate Source Threshold Voltage Max4.3V
Power Dissipation170W
Operating Temperature Max175°C
Product RangeSiCPAK F Series
기술 사양
MOSFET Module Configuration
Half Bridge
Continuous Drain Current Id
68A
Drain Source On State Resistance
0.023ohm
No. of Pins
18Pins
Gate Source Threshold Voltage Max
4.3V
Operating Temperature Max
175°C
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
1.2kV
Transistor Case Style
Module
Rds(on) Test Voltage
18V
Power Dissipation
170W
Product Range
SiCPAK F Series
기술 문서 (1)
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:United States
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:United States
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:추후 공고함
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
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제품 준수 증명서
무게(kg):.000001