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2N6788
Power MOSFET, N Channel, 100 V, 6 A, 0.345 ohm, TO-205AD, Through Hole
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더 이상 재고 없음
제품 정보
제조업체INFINEON
제조업체 부품 번호2N6788복사
주문 코드4190701
기술 데이터 시트
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds100V
Continuous Drain Current Id6A
Transistor Case StyleTO-205AD
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation20W
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
2N6788의 대체 제품
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제품 개요
The 2N6788 is a HEXFET® N-channel Power MOSFET suitable for inverters, choppers and high energy pulse circuit. The efficient geometry and unique processing of this latest state of the art design achieves very low ON-state resistance combined with high transconductance. The HEXFET® transistor also features all of the well established advantages of MOSFET such as voltage control, very fast switching, ease of paralleling and temperature stability of the electrical parameters.
- Repetitive avalanche rating
- Dynamic dV/dt rating
- Hermetically sealed
- Simple drive requirements
애플리케이션
Power Management, Motor Drive & Control, Audio, Industrial, Aerospace, Defence, Military
기술 사양
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
6A
Transistor Mounting
Through Hole
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
Drain Source Voltage Vds
100V
Transistor Case Style
TO-205AD
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
20W
Product Range
-
기술 문서 (1)
관련 제품
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법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Mexico
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Mexico
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:아니요
RoHS 프탈레이트 준수:아니요
제품 준수 증명서 다운로드
제품 준수 증명서
무게(kg):.000907