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AIMBG75R140M1HXTMA1
Silicon Carbide MOSFET, Single, N Channel, 17 A, 750 V, 0.182 ohm, TO-263 (D2PAK)
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제조업체INFINEON
제조업체 부품 번호AIMBG75R140M1HXTMA1복사
제조업체 표준 리드 타임52주
주문 코드
컷 테이프4295104
컷 테이프4295104RL
Product RangeCoolSiC Gen I Series
AKAAIMBG75R140M1H, SP005582406
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| 수량 | 가격 |
|---|---|
| 1+ | ₩9,142 |
| 10+ | ₩4,847 |
| 100+ | ₩4,433 |
| 500+ | ₩4,129 |
| 1000+ | ₩3,894 |
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₩9,142
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제품 정보
제조업체INFINEON
제조업체 부품 번호AIMBG75R140M1HXTMA1복사
제조업체 표준 리드 타임52주
주문 코드
컷 테이프4295104
컷 테이프4295104RL
Product RangeCoolSiC Gen I Series
AKAAIMBG75R140M1H, SP005582406
기술 데이터 시트
MOSFET Module ConfigurationSingle
Channel TypeN Channel
Continuous Drain Current Id17A
Drain Source Voltage Vds750V
Drain Source On State Resistance0.182ohm
Transistor Case StyleTO-263 (D2PAK)
No. of Pins7Pins
Rds(on) Test Voltage18V
Gate Source Threshold Voltage Max5.6V
Power Dissipation100W
Operating Temperature Max175°C
Product RangeCoolSiC Gen I Series
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
기술 사양
MOSFET Module Configuration
Single
Continuous Drain Current Id
17A
Drain Source On State Resistance
0.182ohm
No. of Pins
7Pins
Gate Source Threshold Voltage Max
5.6V
Operating Temperature Max
175°C
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
750V
Transistor Case Style
TO-263 (D2PAK)
Rds(on) Test Voltage
18V
Power Dissipation
100W
Product Range
CoolSiC Gen I Series
기술 문서 (1)
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Malaysia
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Malaysia
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
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제품 준수 증명서
무게(kg):.0013