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AIMW120R080M1XKSA1
Silicon Carbide MOSFET, Single, N Channel, 33 A, 1.2 kV, 0.08 ohm, TO-247
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제조업체INFINEON
제조업체 부품 번호AIMW120R080M1XKSA1복사
제조업체 표준 리드 타임52주
주문 코드3768883
Product RangeCoolSiC Trench
AKASP004807194, AIMW120R080M1
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| 수량 | 가격 |
|---|---|
| 1+ | ₩29,639 |
| 5+ | ₩24,046 |
| 10+ | ₩18,452 |
| 50+ | ₩17,200 |
| 100+ | ₩15,947 |
| 250+ | ₩15,931 |
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제품 정보
제조업체INFINEON
제조업체 부품 번호AIMW120R080M1XKSA1복사
제조업체 표준 리드 타임52주
주문 코드3768883
Product RangeCoolSiC Trench
AKASP004807194, AIMW120R080M1
기술 데이터 시트
MOSFET Module ConfigurationSingle
Channel TypeN Channel
Continuous Drain Current Id33A
Drain Source Voltage Vds1.2kV
Drain Source On State Resistance0.08ohm
Transistor Case StyleTO-247
No. of Pins3Pins
Rds(on) Test Voltage15V
Gate Source Threshold Voltage Max4.5V
Power Dissipation150W
Operating Temperature Max175°C
Product RangeCoolSiC Trench
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
기술 사양
MOSFET Module Configuration
Single
Continuous Drain Current Id
33A
Drain Source On State Resistance
0.08ohm
No. of Pins
3Pins
Gate Source Threshold Voltage Max
4.5V
Operating Temperature Max
175°C
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
1.2kV
Transistor Case Style
TO-247
Rds(on) Test Voltage
15V
Power Dissipation
150W
Product Range
CoolSiC Trench
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
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제품 준수 증명서
무게(kg):.01134