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AUIRFR2407
Power MOSFET, N Channel, 75 V, 42 A, 0.026 ohm, TO-252AA, Surface Mount
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제조업체 표준 리드 타임: 28주
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| 수량 | 가격 |
|---|---|
| 1+ | ₩4,623 |
| 10+ | ₩3,069 |
| 100+ | ₩2,339 |
| 500+ | ₩1,931 |
| 1000+ | ₩1,691 |
| 5000+ | ₩1,576 |
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제품 정보
제조업체INFINEON
제조업체 부품 번호AUIRFR2407복사
제조업체 표준 리드 타임28주
주문 코드2062081
AKASP001520320
기술 데이터 시트
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds75V
Continuous Drain Current Id42A
Drain Source On State Resistance0.026ohm
Transistor Case StyleTO-252AA
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max2V
Power Dissipation110W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
제품 개요
The AUIRFR2407 is a HEXFET® N-channel Power MOSFET utilizes the latest processing techniques to achieve low ON-resistance per silicon area. This benefit combined with the fast switching speed and ruggedized design, provides an extremely efficient and reliable operation.
- Advanced planar technology
- Dynamic dV/dt rating
- Fully avalanche rating
- Repetitive avalanche allowed up to Tjmax
애플리케이션
Automotive, Power Management
기술 사양
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
42A
Transistor Case Style
TO-252AA
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
110W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Drain Source Voltage Vds
75V
Drain Source On State Resistance
0.026ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
2V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
기술 문서 (1)
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법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Mexico
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Mexico
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
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제품 준수 증명서
무게(kg):.000708