페이지 인쇄
903 재고
더 필요하세요?
903 8-9 영업일 이내 배송(영국 재고)
| 수량 | 가격 |
|---|---|
| 5+ | ₩3,311 |
| 50+ | ₩2,995 |
| 100+ | ₩2,678 |
| 500+ | ₩1,973 |
| 1500+ | ₩1,934 |
가격기준Each (Supplied on Cut Tape)
주문 최소수량: 5
주문 배수수량: 5
₩16,555
라인 메모 추가
이 주문에 한해 주문 확인서, 청구서, 발송장에 추가됨,
제품 정보
제조업체INFINEON
제조업체 부품 번호AUIRFR5305TRL복사
제조업체 표준 리드 타임28주
주문 코드2725792
Product RangeHEXFET
AKASP001519556
기술 데이터 시트
Channel TypeP Channel
Drain Source Voltage Vds55V
Continuous Drain Current Id31A
Drain Source On State Resistance0.065ohm
Transistor Case StyleTO-252AA
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation110W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Product RangeHEXFET
QualificationAEC-Q101
SVHCNo SVHC (23-Jan-2024)
AUIRFR5305TRL의 대체 제품
1개 제품을 찾았습니다.
제품 개요
Automotive grade HEXFET® power MOSFET specifically designed for automotive applications.
- Advanced planar technology
- Low on-resistance
- Dynamic dv/dot rating
- Fast switching speed and ruggedized device design
- Fully avalanche rated
- Repetitive avalanche allowed up to Taxa
경고
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
기술 사양
Channel Type
P Channel
Continuous Drain Current Id
31A
Transistor Case Style
TO-252AA
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
110W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
AEC-Q101
SVHC
No SVHC (23-Jan-2024)
Drain Source Voltage Vds
55V
Drain Source On State Resistance
0.065ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
No. of Pins
3Pins
Product Range
HEXFET
MSL
MSL 1 - Unlimited
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Mexico
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Mexico
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:No SVHC (23-Jan-2024)
제품 준수 증명서 다운로드
제품 준수 증명서
무게(kg):.0004

