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BFR740L3RHE6327XTSA1
Bipolar - RF Transistor, NPN, 4 V, 47 GHz, 160 mW, 40 mA, TSLP
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제품 정보
제조업체INFINEON
제조업체 부품 번호BFR740L3RHE6327XTSA1
주문 코드2480686
AKABFR 740L3RH E6327, SP000252393
기술 데이터 시트
Transistor PolarityNPN
Collector Emitter Voltage Max4V
Transition Frequency47GHz
Power Dissipation160mW
Continuous Collector Current40mA
Transistor Case StyleTSLP
No. of Pins3Pins
DC Current Gain hFE Min160hFE
Transistor MountingSurface Mount
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
MSLMSL 1 - Unlimited
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
제품 개요
The BFR 740L3RH E6327 is a NPN wideband RF Transistor based on Infineon's reliable high volume silicon germanium carbon hetero-junction bipolar technology. It provides a transition frequency fT of 42GHz and is suited for low voltage applications from VHF to 12GHz. Due to its low power consumption the device is very energy efficient and well suited for mobile applications. It is housed in a very thin small leadless package ideal for modules.
- Very low-noise transistor
- High power gain
- Halogen-free
애플리케이션
Industrial, RF Communications, Power Management
기술 사양
Transistor Polarity
NPN
Transition Frequency
47GHz
Continuous Collector Current
40mA
No. of Pins
3Pins
Transistor Mounting
Surface Mount
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Collector Emitter Voltage Max
4V
Power Dissipation
160mW
Transistor Case Style
TSLP
DC Current Gain hFE Min
160hFE
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Malaysia
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Malaysia
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
제품 준수 증명서 다운로드
제품 준수 증명서
무게(kg):.000006