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BSD840NH6327XTSA1
Dual MOSFET, N Channel, 20 V, 20 V, 880 mA, 880 mA, 0.27 ohm
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제품 정보
제조업체INFINEON
제조업체 부품 번호BSD840NH6327XTSA1
주문 코드2443479
AKABSD840N H6327, SP000917654
기술 데이터 시트
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel20V
Drain Source Voltage Vds P Channel20V
Continuous Drain Current Id N Channel880mA
Continuous Drain Current Id P Channel880mA
Drain Source On State Resistance N Channel0.27ohm
Drain Source On State Resistance P Channel0.27ohm
Transistor Case StyleSOT-363
No. of Pins6Pins
Power Dissipation N Channel500mW
Power Dissipation P Channel500mW
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
QualificationAEC-Q101
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
제품 개요
The BSD840N H6327 is a N-channel Small Signal Transistor for DC-to-DC converters, eMobility, on-board charger and telecom applications.
- Enhancement-mode
- Avalanche rated
애플리케이션
Industrial, Automotive, Motor Drive & Control, Consumer Electronics, Communications & Networking, Power Management
경고
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
기술 사양
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds P Channel
20V
Continuous Drain Current Id P Channel
880mA
Drain Source On State Resistance P Channel
0.27ohm
No. of Pins
6Pins
Power Dissipation P Channel
500mW
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Drain Source Voltage Vds N Channel
20V
Continuous Drain Current Id N Channel
880mA
Drain Source On State Resistance N Channel
0.27ohm
Transistor Case Style
SOT-363
Power Dissipation N Channel
500mW
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
AEC-Q101
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Malaysia
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Malaysia
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
제품 준수 증명서 다운로드
제품 준수 증명서
무게(kg):.000005