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BSO604NS2XUMA1
Dual MOSFET, N Channel, 55 V, 55 V, 5 A, 5 A, 0.031 ohm
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제조업체INFINEON
제조업체 부품 번호BSO604NS2XUMA1복사
주문 코드
리릴링2725821RL
컷 테이프2725821
Product RangeOptiMOS Series
AKABSO604NS2, SP000396268
귀하의 부품 번호
더 이상 제조되지 않음
포장 옵션
제품 정보
제조업체INFINEON
제조업체 부품 번호BSO604NS2XUMA1복사
주문 코드
리릴링2725821RL
컷 테이프2725821
Product RangeOptiMOS Series
AKABSO604NS2, SP000396268
기술 데이터 시트
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel55V
Drain Source Voltage Vds P Channel55V
Continuous Drain Current Id N Channel5A
Continuous Drain Current Id P Channel5A
Drain Source On State Resistance N Channel0.031ohm
Drain Source On State Resistance P Channel0.031ohm
Transistor Case StyleSOIC
No. of Pins8Pins
Power Dissipation N Channel2W
Power Dissipation P Channel2W
Operating Temperature Max150°C
Product RangeOptiMOS Series
QualificationAEC-Q101
제품 개요
- OptiMOS™ 2 power transistor
- Dual N-channel
- Enhancement mode
- Logic level
- 150°C operating temperature
- Avalanche rated
- dv/dt rated
- AEC qualified
경고
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
기술 사양
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds P Channel
55V
Continuous Drain Current Id P Channel
5A
Drain Source On State Resistance P Channel
0.031ohm
No. of Pins
8Pins
Power Dissipation P Channel
2W
Product Range
OptiMOS Series
Drain Source Voltage Vds N Channel
55V
Continuous Drain Current Id N Channel
5A
Drain Source On State Resistance N Channel
0.031ohm
Transistor Case Style
SOIC
Power Dissipation N Channel
2W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
AEC-Q101
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Malaysia
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Malaysia
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
제품 준수 증명서 다운로드
제품 준수 증명서
무게(kg):.000265