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INFINEON CY14B104LA-ZS25XI

Nonvolatile SRAM (NVSRAM), 4 Mbit, 512K x 8bit / 256K x 16bit, 25 ns, 2.7 V to 3.6 V, TSOP-II-44

INFINEON CY14B104LA-ZS25XI
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INFINEON INFINEON
제조업체 부품 번호:
CY14B104LA-ZS25XI
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SP005640669, CY14B104LA-ZS25XI
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제품 개요

CY14B104LA-ZS25XI is a 4Mbit (512K × 8) nvSRAM with a non-volatile element in each memory cell. The embedded non-volatile elements incorporate QuantumTrap technology, producing the world’s most reliable non-volatile memory. The SRAM provides infinite read and write cycles, while independent non-volatile data resides in the highly reliable QuantumTrap cell. Data transfers from the SRAM to the non-volatile elements (the STORE operation) takes place automatically at power-down. On power-up, data is restored to the SRAM (the RECALL operation) from the non-volatile memory. Both the STORE and RECALL operations are also available under software control.
  • 3.0V voltage, 4Mb density, × 8 data bus, 1st die revision
  • 20ns, 25ns, and 45ns access times
  • Hands off automatic STORE on power-down with only a small capacitor
  • STORE to QuantumTrap non-volatile elements initiated by software/device pin/AutoStore on power-down
  • RECALL to SRAM initiated by software or power-up
  • Infinite read, write, and recall cycles, 1 million STORE cycles to quantum trap
  • 20 year data retention, single 3V +20%, –10% operation
  • Supply voltage range from 2.7V to 3.6V
  • 5mA maximum average VCAP current during autostore cycle
  • 44-pin TSOP II package, industrial temperature range from -40 to +85°C

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제품 정보

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:
4Mbit

:
25ns

:
25ns

:
2.7V

:
3.6V

:
44Pins

:
-40°C

:
85°C

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