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FF06MR12A04MA2AKSA1
Silicon Carbide MOSFET, Half Bridge, Dual N Channel, 190 A, 1.2 kV, 5560 µohm, Module
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제품 정보
제조업체INFINEON
제조업체 부품 번호FF06MR12A04MA2AKSA1
주문 코드4717051
Product RangeHybridPACK Series
기술 데이터 시트
MOSFET Module ConfigurationHalf Bridge
Channel TypeDual N Channel
Continuous Drain Current Id190A
Drain Source Voltage Vds1.2kV
Drain Source On State Resistance5560µohm
Transistor Case StyleModule
No. of Pins11Pins
Rds(on) Test Voltage18V
Gate Source Threshold Voltage Max4.55V
Power Dissipation20mW
Operating Temperature Max175°C
Product RangeHybridPACK Series
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
기술 사양
MOSFET Module Configuration
Half Bridge
Continuous Drain Current Id
190A
Drain Source On State Resistance
5560µohm
No. of Pins
11Pins
Gate Source Threshold Voltage Max
4.55V
Operating Temperature Max
175°C
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Channel Type
Dual N Channel
Drain Source Voltage Vds
1.2kV
Transistor Case Style
Module
Rds(on) Test Voltage
18V
Power Dissipation
20mW
Product Range
HybridPACK Series
기술 문서 (1)
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Germany
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Germany
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
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제품 준수 증명서
무게(kg):.000001