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FF150R12RT4HOSA1
IGBT Module, Dual [Half Bridge], 150 A, 1.75 V, 790 W, 150 °C, Module
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더 이상 제조되지 않음
제품 정보
제조업체INFINEON
제조업체 부품 번호FF150R12RT4HOSA1
주문 코드2726121
AKAFF150R12RT4, SP000624908
기술 데이터 시트
IGBT ConfigurationDual [Half Bridge]
Continuous Collector Current150A
Collector Emitter Saturation Voltage1.75V
Power Dissipation790W
Operating Temperature Max150°C
Transistor Case StyleModule
IGBT TerminationStud
Collector Emitter Voltage Max1.2kV
IGBT TechnologyIGBT 4 [Trench/Field Stop]
Transistor MountingPanel
Product Range-
기술 사양
IGBT Configuration
Dual [Half Bridge]
Collector Emitter Saturation Voltage
1.75V
Operating Temperature Max
150°C
IGBT Termination
Stud
IGBT Technology
IGBT 4 [Trench/Field Stop]
Product Range
-
Continuous Collector Current
150A
Power Dissipation
790W
Transistor Case Style
Module
Collector Emitter Voltage Max
1.2kV
Transistor Mounting
Panel
SVHC
No SVHC (23-Jan-2024)
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Slovak Republic
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Slovak Republic
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85359000
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:No SVHC (23-Jan-2024)
제품 준수 증명서 다운로드
제품 준수 증명서
무게(kg):.1642