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FF200R12KE3HOSA1
IGBT Module, Dual, 295 A, 1.7 V, 1.05 kW, 125 °C, Module
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제조업체INFINEON
제조업체 부품 번호FF200R12KE3HOSA1복사
제조업체 표준 리드 타임14주
주문 코드2726122
AKAFF200R12KE3, SP000100735
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제품 정보
제조업체INFINEON
제조업체 부품 번호FF200R12KE3HOSA1복사
제조업체 표준 리드 타임14주
주문 코드2726122
AKAFF200R12KE3, SP000100735
기술 데이터 시트
IGBT ConfigurationDual
Continuous Collector Current295A
Collector Emitter Saturation Voltage1.7V
Power Dissipation1.05kW
Operating Temperature Max125°C
Transistor Case StyleModule
IGBT TerminationStud
Collector Emitter Voltage Max1.2kV
IGBT TechnologyIGBT 3 [Trench/Field Stop]
Transistor MountingPanel
Product Range-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
기술 사양
IGBT Configuration
Dual
Collector Emitter Saturation Voltage
1.7V
Operating Temperature Max
125°C
IGBT Termination
Stud
IGBT Technology
IGBT 3 [Trench/Field Stop]
Product Range
-
Continuous Collector Current
295A
Power Dissipation
1.05kW
Transistor Case Style
Module
Collector Emitter Voltage Max
1.2kV
Transistor Mounting
Panel
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
기술 문서 (1)
FF200R12KE3HOSA1의 대체 제품
3개 제품을 찾았습니다.
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Germany
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Germany
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
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제품 준수 증명서
무게(kg):.018597