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FF33MR12W1M1HB11BPSA1
Silicon Carbide MOSFET, Half Bridge, Dual N Channel, 25 A, 1.2 kV, 0.0323 ohm, Module
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| 제조업체 | INFINEON |
|---|---|
| 제조업체 부품 번호 | FF33MR12W1M1HB11BPSA1복사 |
| 제조업체 표준 리드 타임 | 35주 |
| 주문 코드 | 4216511 |
| Product Range | CoolSiC Trench Series |
| AKA | FF33MR12W1M1H_B11, SP005634429 |
| 귀하의 부품 번호 | |
| 기술 데이터 시트 |
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| 수량 | 가격 |
|---|---|
| 1+ | ₩64,167 |
| 5+ | ₩60,750 |
| 10+ | ₩57,332 |
| 50+ | ₩52,068 |
| 100+ | ₩46,804 |
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₩64,167
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제품 정보
| 제조업체 | INFINEON |
|---|---|
| 제조업체 부품 번호 | FF33MR12W1M1HB11BPSA1복사 |
| 제조업체 표준 리드 타임 | 35주 |
| 주문 코드 | 4216511 |
| Product Range | CoolSiC Trench Series |
| AKA | FF33MR12W1M1H_B11, SP005634429 |
| 기술 데이터 시트 | |
| MOSFET Module Configuration | Half Bridge |
| Channel Type | Dual N Channel |
| Continuous Drain Current Id | 25A |
| Drain Source Voltage Vds | 1.2kV |
| Drain Source On State Resistance | 0.0323ohm |
| Transistor Case Style | Module |
| No. of Pins | 10Pins |
| Rds(on) Test Voltage | 18V |
| Gate Source Threshold Voltage Max | 5.15V |
| Power Dissipation | 20mW |
| Operating Temperature Max | 175°C |
| Product Range | CoolSiC Trench Series |
| SVHC | No SVHC (25-Jun-2025) |
기술 사양
| MOSFET Module Configuration | Half Bridge |
|---|---|
| Continuous Drain Current Id | 25A |
| Drain Source On State Resistance | 0.0323ohm |
| No. of Pins | 10Pins |
| Gate Source Threshold Voltage Max | 5.15V |
| Operating Temperature Max | 175°C |
| SVHC | No SVHC (25-Jun-2025) |
| Channel Type | Dual N Channel |
|---|---|
| Drain Source Voltage Vds | 1.2kV |
| Transistor Case Style | Module |
| Rds(on) Test Voltage | 18V |
| Power Dissipation | 20mW |
| Product Range | CoolSiC Trench Series |
기술 문서 (1)
법률 및 환경
| 원산지: 최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지: | Germany 최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가 |
|---|---|
| 관세 번호: | 85412900 |
| US ECCN: | EAR99 |
| EU ECCN: | NLR |
| RoHS 준수: | 예 RoHS |
| RoHS 프탈레이트 준수: | 예 RoHS |
| SVHC: | No SVHC (25-Jun-2025) |
| 제품 준수 증명서 다운로드 | 제품 준수 증명서 |
| 무게(kg): | .053725 |
