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FS28MR12W1M1HB11HPSA1
Silicon Carbide MOSFET, SixPack, N Channel, 30 A, 1.2 kV, 0.0264 ohm, Module
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제조업체INFINEON
제조업체 부품 번호FS28MR12W1M1HB11HPSA1
주문 코드4313255
Product RangeEasyPACK 1B CoolSiC Series
AKAFS28MR12W1M1H_B11, SP005634666
기술 데이터 시트
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| 수량 | 가격 |
|---|---|
| 1+ | ₩142,465 |
| 5+ | ₩133,419 |
| 10+ | ₩124,372 |
| 50+ | ₩124,191 |
가격기준Each
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주문 배수수량: 1
₩142,465
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제품 정보
제조업체INFINEON
제조업체 부품 번호FS28MR12W1M1HB11HPSA1
주문 코드4313255
Product RangeEasyPACK 1B CoolSiC Series
AKAFS28MR12W1M1H_B11, SP005634666
기술 데이터 시트
MOSFET Module ConfigurationSixPack
Channel TypeN Channel
Continuous Drain Current Id30A
Drain Source Voltage Vds1.2kV
Drain Source On State Resistance0.0264ohm
Transistor Case StyleModule
No. of Pins23Pins
Rds(on) Test Voltage18V
Gate Source Threshold Voltage Max5.15V
Power Dissipation20mW
Operating Temperature Max175°C
Product RangeEasyPACK 1B CoolSiC Series
SVHCNo SVHC (27-Jun-2018)
기술 사양
MOSFET Module Configuration
SixPack
Continuous Drain Current Id
30A
Drain Source On State Resistance
0.0264ohm
No. of Pins
23Pins
Gate Source Threshold Voltage Max
5.15V
Operating Temperature Max
175°C
SVHC
No SVHC (27-Jun-2018)
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
1.2kV
Transistor Case Style
Module
Rds(on) Test Voltage
18V
Power Dissipation
20mW
Product Range
EasyPACK 1B CoolSiC Series
기술 문서 (1)
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Germany
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Germany
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:아니요
RoHS 프탈레이트 준수:아니요
SVHC:No SVHC (27-Jun-2018)
제품 준수 증명서 다운로드
제품 준수 증명서
무게(kg):.024