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GS66508TMRXUSA1
Gallium Nitride (GaN) Transistor, 650 V, 30 A, 0.063 ohm, 6.1 nC, GaNPX, Surface Mount
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제품 정보
제조업체INFINEON
제조업체 부품 번호GS66508TMRXUSA1
주문 코드4715921
기술 데이터 시트
Drain Source Voltage Vds650V
Continuous Drain Current Id30A
Drain Source On State Resistance0.063ohm
Typical Gate Charge6.1nC
Transistor Case StyleGaNPX
Transistor MountingSurface Mount
No. of Pins4Pins
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
기술 사양
Drain Source Voltage Vds
650V
Drain Source On State Resistance
0.063ohm
Transistor Case Style
GaNPX
No. of Pins
4Pins
Qualification
-
Continuous Drain Current Id
30A
Typical Gate Charge
6.1nC
Transistor Mounting
Surface Mount
Product Range
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Thailand
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Thailand
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:추후 공고함
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
제품 준수 증명서 다운로드
제품 준수 증명서
무게(kg):.000001