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제품 정보
제조업체INFINEON
제조업체 부품 번호IAUC120N04S6N009ATMA1
주문 코드3267762RL
Product RangeOptiMOS-6
AKAIAUC120N04S6N009, SP001688678
기술 데이터 시트
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds40V
Continuous Drain Current Id120A
Drain Source On State Resistance750µohm
Transistor Case StyleTDSON
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max2.8V
Power Dissipation150W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max175°C
Product RangeOptiMOS-6
QualificationAEC-Q101
MSLMSL 1 - Unlimited
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
제품 개요
IAUC120N04S6N009ATMA1 is an OptiMOS™- 6 power transistor.
- OptiMOS™ - power MOSFET for automotive applications
- N-channel - enhancement mode - normal level
- AEC Q101 qualified
- 175°C operating temperature
- 100% avalanche tested
- PG-TDSON-8 package
- Drain-source breakdown voltage is 40V at GS=0V, I D= 1mA
- Drain-source on-state resistance is 0.95mohm typical at V GS=7V, I D=60A
- Continuous drain current is 120A at Tc=25°C, VGS=10V
- Operating and storage temperature range from -55 to +175°C
경고
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
기술 사양
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
120A
Transistor Case Style
TDSON
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
150W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
AEC-Q101
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Drain Source Voltage Vds
40V
Drain Source On State Resistance
750µohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
2.8V
No. of Pins
8Pins
Product Range
OptiMOS-6
MSL
MSL 1 - Unlimited
기술 문서 (1)
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Malaysia
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Malaysia
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
제품 준수 증명서 다운로드
제품 준수 증명서
무게(kg):.0001