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IKW40N120H3FKSA1
IGBT, 40 A, 2.4 V, 483 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pins
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|---|---|
| 1+ | ₩11,228 |
| 5+ | ₩9,977 |
| 10+ | ₩8,725 |
| 50+ | ₩8,133 |
| 100+ | ₩7,540 |
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제품 정보
제조업체INFINEON
제조업체 부품 번호IKW40N120H3FKSA1
주문 코드1832351
AKAIKW40N120H3, SP000674416
기술 데이터 시트
Continuous Collector Current40A
Collector Emitter Saturation Voltage2.4V
Power Dissipation483W
Collector Emitter Voltage Max1.2kV
Transistor Case StyleTO-247
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Transistor MountingThrough Hole
Product Range-
MSL-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
제품 개요
The IKW40N120H3 is a 1200V Discrete IGBT with very soft, fast recovery anti-parallel diode designed specifically to replace planar MOSFETs in applications switching at frequencies below 70kHz. The key feature of this family is a MOSFET-like turn-off switching behaviour and thus leading to low turn off losses. Discrete IGBT is ideal for hard switching applications as well as soft switching applications and other resonant applications.
- Low switching losses for high efficiency
- Fast switching behaviour with low EMI emissions
- Low gate resistor selection possible (down to 5Ω) whilst maintaining excellent switching behaviour
- Short circuit capability
- Excellent performance
- Low switching and conduction losses
애플리케이션
Power Management, Alternative Energy
기술 사양
Continuous Collector Current
40A
Power Dissipation
483W
Transistor Case Style
TO-247
Operating Temperature Max
175°C
Product Range
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Collector Emitter Saturation Voltage
2.4V
Collector Emitter Voltage Max
1.2kV
No. of Pins
3Pins
Transistor Mounting
Through Hole
MSL
-
기술 문서 (1)
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법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Philippines
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Philippines
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
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제품 준수 증명서
무게(kg):.00542