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IMBG120R181M2HXTMA1
Silicon Carbide MOSFET, Single, N Channel, 14.9 A, 1.2 kV, 0.1814 ohm, TO-263HV
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제조업체INFINEON
제조업체 부품 번호IMBG120R181M2HXTMA1복사
제조업체 표준 리드 타임52주
주문 코드
리릴링4376967RL
컷 테이프4376967
Product RangeCoolSiC Mosfet 1200V G2
AKAIMBG120R181M2H, SP005825859
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| 포장 유형 | 수량 | 단가: | 총계 |
|---|---|---|---|
| 컷 테이프 | 1 | ₩9,109 | ₩9,109 |
| 총계 가격 | ₩9,109 | ||
컷 테이프 & 리릴링
| 수량 | 가격 |
|---|---|
| 1+ | ₩9,109 |
| 10+ | ₩6,083 |
| 100+ | ₩4,350 |
| 500+ | ₩3,972 |
| 1000+ | ₩3,751 |
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제품 정보
제조업체INFINEON
제조업체 부품 번호IMBG120R181M2HXTMA1복사
제조업체 표준 리드 타임52주
주문 코드
리릴링4376967RL
컷 테이프4376967
Product RangeCoolSiC Mosfet 1200V G2
AKAIMBG120R181M2H, SP005825859
기술 데이터 시트
MOSFET Module ConfigurationSingle
Channel TypeN Channel
Continuous Drain Current Id14.9A
Drain Source Voltage Vds1.2kV
Drain Source On State Resistance0.1814ohm
Transistor Case StyleTO-263HV
No. of Pins7Pins
Rds(on) Test Voltage18V
Gate Source Threshold Voltage Max5.1V
Power Dissipation94W
Operating Temperature Max175°C
Product RangeCoolSiC Mosfet 1200V G2
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
기술 사양
MOSFET Module Configuration
Single
Continuous Drain Current Id
14.9A
Drain Source On State Resistance
0.1814ohm
No. of Pins
7Pins
Gate Source Threshold Voltage Max
5.1V
Operating Temperature Max
175°C
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
1.2kV
Transistor Case Style
TO-263HV
Rds(on) Test Voltage
18V
Power Dissipation
94W
Product Range
CoolSiC Mosfet 1200V G2
기술 문서 (1)
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Malaysia
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Malaysia
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
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제품 준수 증명서
무게(kg):.001