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IMBG120R234M2HXTMA1
Silicon Carbide MOSFET, Single, N Channel, 8.1 A, 1.2 kV, 0.2339 ohm, TO-263HV
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제조업체INFINEON
제조업체 부품 번호IMBG120R234M2HXTMA1
주문 코드4376968
Product RangeCoolSiC Gen 2 Series
AKAIMBG120R234M2H, SP005825459
기술 데이터 시트
제품 정보
제조업체INFINEON
제조업체 부품 번호IMBG120R234M2HXTMA1
주문 코드4376968
Product RangeCoolSiC Gen 2 Series
AKAIMBG120R234M2H, SP005825459
기술 데이터 시트
MOSFET Module ConfigurationSingle
Channel TypeN Channel
Continuous Drain Current Id8.1A
Drain Source Voltage Vds1.2kV
Drain Source On State Resistance0.2339ohm
Transistor Case StyleTO-263HV
No. of Pins7Pins
Rds(on) Test Voltage18V
Gate Source Threshold Voltage Max5.1V
Power Dissipation80W
Operating Temperature Max175°C
Product RangeCoolSiC Gen 2 Series
기술 사양
MOSFET Module Configuration
Single
Continuous Drain Current Id
8.1A
Drain Source On State Resistance
0.2339ohm
No. of Pins
7Pins
Gate Source Threshold Voltage Max
5.1V
Operating Temperature Max
175°C
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
1.2kV
Transistor Case Style
TO-263HV
Rds(on) Test Voltage
18V
Power Dissipation
80W
Product Range
CoolSiC Gen 2 Series
기술 문서 (1)
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Malaysia
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Malaysia
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
제품 준수 증명서 다운로드
제품 준수 증명서
무게(kg):.001