페이지 인쇄
IMBG40R011M2HXTMA1
Silicon Carbide MOSFET, Single, N Channel, 133 A, 400 V, 0.0144 ohm, TO-263
이미지는 참고용으로만 제공됩니다. 자세한 내용은 제품 설명을 참조하세요.
제조업체INFINEON
제조업체 부품 번호IMBG40R011M2HXTMA1복사
제조업체 표준 리드 타임52주
주문 코드
리릴링4538818RL
컷 테이프4538818
Product RangeCoolSiC™ MOSFET 400 V G2
AKAIMBG40R011M2H, SP005976260
귀하의 부품 번호
1,365 재고
더 필요하세요?
1,365 3-4 영업일 이내 배송(영국 재고)
포장 옵션
| 포장 유형 | 수량 | 단가: | 총계 |
|---|---|---|---|
| 컷 테이프 | 1 | ₩29,545 | ₩29,545 |
| 총계 가격 | ₩29,545 | ||
컷 테이프 & 리릴링
| 수량 | 가격 |
|---|---|
| 1+ | ₩29,545 |
| 5+ | ₩25,275 |
| 10+ | ₩21,005 |
| 50+ | ₩19,705 |
| 100+ | ₩18,405 |
| 250+ | ₩18,037 |
라인 메모 추가
이 주문에 한해 주문 확인서, 청구서, 발송장에 추가됨,
제품 정보
제조업체INFINEON
제조업체 부품 번호IMBG40R011M2HXTMA1복사
제조업체 표준 리드 타임52주
주문 코드
리릴링4538818RL
컷 테이프4538818
Product RangeCoolSiC™ MOSFET 400 V G2
AKAIMBG40R011M2H, SP005976260
기술 데이터 시트
MOSFET Module ConfigurationSingle
Channel TypeN Channel
Continuous Drain Current Id133A
Drain Source Voltage Vds400V
Drain Source On State Resistance0.0144ohm
Transistor Case StyleTO-263
No. of Pins7Pins
Rds(on) Test Voltage18V
Gate Source Threshold Voltage Max5.6V
Power Dissipation429W
Operating Temperature Max175°C
Product RangeCoolSiC™ MOSFET 400 V G2
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
제품 개요
IMBG40R011M2HXTMA1 is a CoolSiC™ 400V CoolSiC™ G2 MOSFET in a 7 pin TO263 package. Typical applications include SMPS, solar PV inverters, energy storage, UPS and battery formation, class‑D audio and motor drives.
- 400V drain source voltage, 11.3mohm RDS(on), 133A drain current
- Ideal for high frequency switching and synchronous rectification
- Commutation robust fast body diode with low Qfr
- Low RDS(on) dependency on temperature
- Benchmark gate threshold voltage, VGS(th) = 4.5V
- Recommended gate driving voltage 0V to 18V
- XT interconnection technology for best‑in‑class thermal performance
- 100% avalanche tested
- Operating junction temperature range from ‑55 to 175°C
기술 사양
MOSFET Module Configuration
Single
Continuous Drain Current Id
133A
Drain Source On State Resistance
0.0144ohm
No. of Pins
7Pins
Gate Source Threshold Voltage Max
5.6V
Operating Temperature Max
175°C
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
400V
Transistor Case Style
TO-263
Rds(on) Test Voltage
18V
Power Dissipation
429W
Product Range
CoolSiC™ MOSFET 400 V G2
기술 문서 (1)
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Malaysia
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Malaysia
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
제품 준수 증명서 다운로드
제품 준수 증명서
무게(kg):.000001