페이지 인쇄
IMBG65R015M2HXTMA1
Silicon Carbide MOSFET, Single, N Channel, 115 A, 650 V, 0.0132 ohm, TO-263
이미지는 참고용으로만 제공됩니다. 자세한 내용은 제품 설명을 참조하세요.
제조업체INFINEON
제조업체 부품 번호IMBG65R015M2HXTMA1복사
제조업체 표준 리드 타임52주
주문 코드
리릴링4378733RL
컷 테이프4378733
Product RangeCoolSiC Gen 2 Series
AKAIMBG65R015M2H, SP005917205
귀하의 부품 번호
663 재고
더 필요하세요?
663 8-9 영업일 이내 배송(영국 재고)
포장 옵션
| 포장 유형 | 수량 | 단가: | 총계 |
|---|---|---|---|
| 컷 테이프 | 1 | ₩26,890 | ₩26,890 |
| 총계 가격 | ₩26,890 | ||
컷 테이프 & 리릴링
| 수량 | 가격 |
|---|---|
| 1+ | ₩26,890 |
| 5+ | ₩22,996 |
| 10+ | ₩19,102 |
| 50+ | ₩17,915 |
| 100+ | ₩16,727 |
| 250+ | ₩16,393 |
라인 메모 추가
이 주문에 한해 주문 확인서, 청구서, 발송장에 추가됨,
제품 정보
제조업체INFINEON
제조업체 부품 번호IMBG65R015M2HXTMA1복사
제조업체 표준 리드 타임52주
주문 코드
리릴링4378733RL
컷 테이프4378733
Product RangeCoolSiC Gen 2 Series
AKAIMBG65R015M2H, SP005917205
기술 데이터 시트
MOSFET Module ConfigurationSingle
Channel TypeN Channel
Continuous Drain Current Id115A
Drain Source Voltage Vds650V
Drain Source On State Resistance0.0132ohm
Transistor Case StyleTO-263
No. of Pins7Pins
Rds(on) Test Voltage20V
Gate Source Threshold Voltage Max5.6V
Power Dissipation416W
Operating Temperature Max175°C
Product RangeCoolSiC Gen 2 Series
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
기술 사양
MOSFET Module Configuration
Single
Continuous Drain Current Id
115A
Drain Source On State Resistance
0.0132ohm
No. of Pins
7Pins
Gate Source Threshold Voltage Max
5.6V
Operating Temperature Max
175°C
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
650V
Transistor Case Style
TO-263
Rds(on) Test Voltage
20V
Power Dissipation
416W
Product Range
CoolSiC Gen 2 Series
기술 문서 (1)
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Malaysia
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Malaysia
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
제품 준수 증명서 다운로드
제품 준수 증명서
무게(kg):.001