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IMBG65R030M1HXTMA1
Silicon Carbide MOSFET, Single, N Channel, 63 A, 650 V, 0.03 ohm, TO-263
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제조업체INFINEON
제조업체 부품 번호IMBG65R030M1HXTMA1
주문 코드3928618
Product RangeCoolSiC M1 Trench Series
AKASP005539165, IMBG65R030M1H
기술 데이터 시트
제품 정보
제조업체INFINEON
제조업체 부품 번호IMBG65R030M1HXTMA1
주문 코드3928618
Product RangeCoolSiC M1 Trench Series
AKASP005539165, IMBG65R030M1H
기술 데이터 시트
MOSFET Module ConfigurationSingle
Channel TypeN Channel
Continuous Drain Current Id63A
Drain Source Voltage Vds650V
Drain Source On State Resistance0.03ohm
Transistor Case StyleTO-263
No. of Pins7Pins
Rds(on) Test Voltage18V
Gate Source Threshold Voltage Max4.5V
Power Dissipation234W
Operating Temperature Max175°C
Product RangeCoolSiC M1 Trench Series
MSL-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
기술 사양
MOSFET Module Configuration
Single
Continuous Drain Current Id
63A
Drain Source On State Resistance
0.03ohm
No. of Pins
7Pins
Gate Source Threshold Voltage Max
4.5V
Operating Temperature Max
175°C
MSL
-
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
650V
Transistor Case Style
TO-263
Rds(on) Test Voltage
18V
Power Dissipation
234W
Product Range
CoolSiC M1 Trench Series
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
기술 문서 (1)
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법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Malaysia
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Malaysia
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
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제품 준수 증명서
무게(kg):.001588