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IMTA65R020M2HXTMA1
Silicon Carbide MOSFET, Single, N Channel, 77 A, 650 V, 0.018 ohm, LHSOF
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제조업체INFINEON
제조업체 부품 번호IMTA65R020M2HXTMA1복사
제조업체 표준 리드 타임52주
주문 코드
리릴링4445608RL
컷 테이프4445608
Product RangeCoolSiC G2 Series
AKAIMTA65R020M2H, SP005954481
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포장 옵션
| 포장 유형 | 수량 | 단가: | 총계 |
|---|---|---|---|
| 컷 테이프 | 1 | ₩21,002 | ₩21,002 |
| 총계 가격 | ₩21,002 | ||
컷 테이프 & 리릴링
| 수량 | 가격 |
|---|---|
| 1+ | ₩21,002 |
| 5+ | ₩17,857 |
| 10+ | ₩14,712 |
| 50+ | ₩13,438 |
| 100+ | ₩12,164 |
| 250+ | ₩11,921 |
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제품 정보
제조업체INFINEON
제조업체 부품 번호IMTA65R020M2HXTMA1복사
제조업체 표준 리드 타임52주
주문 코드
리릴링4445608RL
컷 테이프4445608
Product RangeCoolSiC G2 Series
AKAIMTA65R020M2H, SP005954481
기술 데이터 시트
MOSFET Module ConfigurationSingle
Channel TypeN Channel
Continuous Drain Current Id77A
Drain Source Voltage Vds650V
Drain Source On State Resistance0.018ohm
Transistor Case StyleLHSOF
No. of Pins4Pins
Rds(on) Test Voltage20V
Gate Source Threshold Voltage Max5.6V
Power Dissipation416W
Operating Temperature Max175°C
Product RangeCoolSiC G2 Series
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
기술 사양
MOSFET Module Configuration
Single
Continuous Drain Current Id
77A
Drain Source On State Resistance
0.018ohm
No. of Pins
4Pins
Gate Source Threshold Voltage Max
5.6V
Operating Temperature Max
175°C
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
650V
Transistor Case Style
LHSOF
Rds(on) Test Voltage
20V
Power Dissipation
416W
Product Range
CoolSiC G2 Series
기술 문서 (1)
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Malaysia
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Malaysia
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
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제품 준수 증명서
무게(kg):.00003