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IMZA65R050M2HXKSA1
Silicon Carbide MOSFET, Single, N Channel, 38 A, 650 V, 0.046 ohm, TO-247
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제조업체INFINEON
제조업체 부품 번호IMZA65R050M2HXKSA1복사
제조업체 표준 리드 타임52주
주문 코드4378746
Product RangeCoolSiC Gen 2 Series
AKAIMZA65R050M2H, SP005917217
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| 수량 | 가격 |
|---|---|
| 1+ | ₩16,043 |
| 5+ | ₩12,352 |
| 10+ | ₩8,660 |
| 50+ | ₩8,334 |
| 100+ | ₩8,007 |
| 250+ | ₩7,847 |
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₩16,043
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제품 정보
제조업체INFINEON
제조업체 부품 번호IMZA65R050M2HXKSA1복사
제조업체 표준 리드 타임52주
주문 코드4378746
Product RangeCoolSiC Gen 2 Series
AKAIMZA65R050M2H, SP005917217
기술 데이터 시트
MOSFET Module ConfigurationSingle
Channel TypeN Channel
Continuous Drain Current Id38A
Drain Source Voltage Vds650V
Drain Source On State Resistance0.046ohm
Transistor Case StyleTO-247
No. of Pins4Pins
Rds(on) Test Voltage20V
Gate Source Threshold Voltage Max5.6V
Power Dissipation153W
Operating Temperature Max175°C
Product RangeCoolSiC Gen 2 Series
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
기술 사양
MOSFET Module Configuration
Single
Continuous Drain Current Id
38A
Drain Source On State Resistance
0.046ohm
No. of Pins
4Pins
Gate Source Threshold Voltage Max
5.6V
Operating Temperature Max
175°C
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
650V
Transistor Case Style
TO-247
Rds(on) Test Voltage
20V
Power Dissipation
153W
Product Range
CoolSiC Gen 2 Series
기술 문서 (1)
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
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제품 준수 증명서
무게(kg):.008391