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IPB019N08N3GATMA1
Power MOSFET, N Channel, 80 V, 180 A, 1900 µohm, TO-263 (D2PAK), Surface Mount
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제품 정보
제조업체INFINEON
제조업체 부품 번호IPB019N08N3GATMA1
주문 코드1775520
AKAIPB019N08N3 G, SP000444110
기술 데이터 시트
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds80V
Continuous Drain Current Id180A
Drain Source On State Resistance1900µohm
Transistor Case StyleTO-263 (D2PAK)
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max2.8V
Power Dissipation300W
No. of Pins7Pins
Operating Temperature Max175°C
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
제품 개요
The IPB019N08N3 G is an OptiMOS™ 3 N-channel Power Transistor with superior thermal resistance, excellent gate charge x R DS (ON) product (FOM) and dual-sided cooling. Optimized technology for DC/DC converters.
- Excellent gate charge
- Very low on resistance
- 100% Avalanche tested
- Low parasitic inductance
- Halogen-free
애플리케이션
Power Management, Consumer Electronics, Communications & Networking, Motor Drive & Control
경고
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
기술 사양
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
180A
Transistor Case Style
TO-263 (D2PAK)
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
300W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Drain Source Voltage Vds
80V
Drain Source On State Resistance
1900µohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
2.8V
No. of Pins
7Pins
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
IPB019N08N3GATMA1의 대체 제품
2개 제품을 찾았습니다.
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Malaysia
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Malaysia
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
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제품 준수 증명서
무게(kg):.002