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IPB038N12N3GATMA1
Power MOSFET, N Channel, 120 V, 120 A, 3800 µohm, TO-263 (D2PAK), Surface Mount
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제조업체INFINEON
제조업체 부품 번호IPB038N12N3GATMA1복사
제조업체 표준 리드 타임10주
주문 코드
리릴링2212825RL
컷 테이프2212825
AKAIPB038N12N3 G, SP000694160
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포장 옵션
| 포장 유형 | 수량 | 단가: | 총계 |
|---|---|---|---|
| 컷 테이프 | 1 | ₩8,051 | ₩8,051 |
| 총계 가격 | ₩8,051 | ||
컷 테이프 & 리릴링
| 수량 | 가격 |
|---|---|
| 1+ | ₩8,051 |
| 10+ | ₩6,242 |
| 50+ | ₩4,654 |
| 200+ | ₩4,399 |
| 500+ | ₩4,143 |
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제품 정보
제조업체INFINEON
제조업체 부품 번호IPB038N12N3GATMA1복사
제조업체 표준 리드 타임10주
주문 코드
리릴링2212825RL
컷 테이프2212825
AKAIPB038N12N3 G, SP000694160
기술 데이터 시트
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds120V
Continuous Drain Current Id120A
Drain Source On State Resistance3800µohm
Transistor Case StyleTO-263 (D2PAK)
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max3V
Power Dissipation300W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
제품 개요
The IPB038N12N3 G is an OptiMOS™ N-channel Power MOSFET offers at the same time the lowest ON-state resistances of the industry and the fastest switching behaviour, allowing for the achievement of outstanding performance in a wide range of applications. The 120V OptiMOS™ technology gives new possibilities for optimized solutions.
- Excellent gate charge x RDS (ON) product (FOM)
- Very low ON-resistance R DS(on)
- Excellent gate charge x RDS (NO) product (FOM)
- MSL1 rated 2
- Environmentally friendly
- Increased efficiency
- Highest power density
- Less paralleling required
- Smallest board-space consumption
- Easy-to-design products
- N-channel, normal level
- Qualified according to JEDEC for target applications
- Halogen-free, Green device
애플리케이션
Power Management, Motor Drive & Control, Computers & Computer Peripherals, Portable Devices, LED Lighting
경고
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
기술 사양
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
120A
Transistor Case Style
TO-263 (D2PAK)
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
300W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Drain Source Voltage Vds
120V
Drain Source On State Resistance
3800µohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
3V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
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법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Malaysia
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Malaysia
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
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제품 준수 증명서
무게(kg):.00181