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IPB70N04S406ATMA1
Power MOSFET, N Channel, 40 V, 70 A, 6200 µohm, TO-263, Surface Mount
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제조업체INFINEON
제조업체 부품 번호IPB70N04S406ATMA1복사
제조업체 표준 리드 타임14주
주문 코드5070553
Product RangeOptiMOS T2 Series
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| 수량 | 가격 |
|---|---|
| 1+ | ₩2,897 |
| 10+ | ₩1,435 |
| 100+ | ₩1,239 |
| 500+ | ₩957 |
| 1000+ | ₩808 |
| 5000+ | ₩789 |
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주문 배수수량: 1
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제품 정보
제조업체INFINEON
제조업체 부품 번호IPB70N04S406ATMA1복사
제조업체 표준 리드 타임14주
주문 코드5070553
Product RangeOptiMOS T2 Series
기술 데이터 시트
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds40V
Continuous Drain Current Id70A
Drain Source On State Resistance6200µohm
Transistor Case StyleTO-263
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation58W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Product RangeOptiMOS T2 Series
QualificationAEC-Q101
SVHCNo SVHC (04-Feb-2026)
기술 사양
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
70A
Transistor Case Style
TO-263
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
58W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
AEC-Q101
Drain Source Voltage Vds
40V
Drain Source On State Resistance
6200µohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
No. of Pins
3Pins
Product Range
OptiMOS T2 Series
SVHC
No SVHC (04-Feb-2026)
기술 문서 (1)
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Malaysia
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Malaysia
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:Y-Ex
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:No SVHC (04-Feb-2026)
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무게(kg):.015