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IPD135N03LGATMA1
Power MOSFET, N Channel, 30 V, 30 A, 0.0135 ohm, TO-252 (DPAK), Surface Mount
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제조업체INFINEON
제조업체 부품 번호IPD135N03LGATMA1복사
제조업체 표준 리드 타임10주
주문 코드
리릴링2480822RL
컷 테이프2480822
AKAIPD135N03L G, SP000796912
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포장 옵션
| 포장 유형 | 수량 | 단가: | 총계 |
|---|---|---|---|
| 컷 테이프 | 5 | ₩773 | ₩3,865 |
| 총계 가격 | ₩3,865 | ||
컷 테이프 & 리릴링
| 수량 | 가격 |
|---|---|
| 5+ | ₩773 |
| 50+ | ₩729 |
| 100+ | ₩685 |
| 500+ | ₩529 |
| 1000+ | ₩504 |
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제품 정보
제조업체INFINEON
제조업체 부품 번호IPD135N03LGATMA1복사
제조업체 표준 리드 타임10주
주문 코드
리릴링2480822RL
컷 테이프2480822
AKAIPD135N03L G, SP000796912
기술 데이터 시트
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds30V
Continuous Drain Current Id30A
Drain Source On State Resistance0.0135ohm
Transistor Case StyleTO-252 (DPAK)
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max2.2V
Power Dissipation31W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
제품 개요
The IPD135N03L G is a N-channel MOSFET Transistor with low on resistance and Halogen free.
- Ultra low gate and output charge
- Increased battery lifetime
- Improved EMI behaviour making external snubber networks obsolete
- Reducing power losses
애플리케이션
Lighting, Industrial, Motor Drive & Control
기술 사양
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
30A
Transistor Case Style
TO-252 (DPAK)
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
31W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Drain Source Voltage Vds
30V
Drain Source On State Resistance
0.0135ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
2.2V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
기술 문서 (1)
IPD135N03LGATMA1의 대체 제품
4개 제품을 찾았습니다.
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Malaysia
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Malaysia
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
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제품 준수 증명서
무게(kg):.00143