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IPD65R660CFDATMA2
Power MOSFET, N Channel, 650 V, 6 A, 0.66 ohm, TO-252 (DPAK), Surface Mount
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제조업체INFINEON
제조업체 부품 번호IPD65R660CFDATMA2복사
제조업체 표준 리드 타임21주
주문 코드4922896
Product RangeCoolMOS CFD2 Series
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| 수량 | 가격 |
|---|---|
| 1+ | ₩1,862 |
| 10+ | ₩1,498 |
| 100+ | ₩1,255 |
| 500+ | ₩1,060 |
| 1000+ | ₩952 |
| 5000+ | ₩895 |
가격기준Each (Supplied on Cut Tape)
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주문 배수수량: 1
₩1,862
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제품 정보
제조업체INFINEON
제조업체 부품 번호IPD65R660CFDATMA2복사
제조업체 표준 리드 타임21주
주문 코드4922896
Product RangeCoolMOS CFD2 Series
기술 데이터 시트
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds650V
Continuous Drain Current Id6A
Drain Source On State Resistance0.66ohm
Transistor Case StyleTO-252 (DPAK)
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4.5V
Power Dissipation63W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeCoolMOS CFD2 Series
Qualification-
SVHCNo SVHC (04-Feb-2026)
기술 사양
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
6A
Transistor Case Style
TO-252 (DPAK)
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
63W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
Drain Source Voltage Vds
650V
Drain Source On State Resistance
0.66ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
4.5V
No. of Pins
3Pins
Product Range
CoolMOS CFD2 Series
SVHC
No SVHC (04-Feb-2026)
기술 문서 (1)
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:Y-Ex
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:No SVHC (04-Feb-2026)
제품 준수 증명서 다운로드
제품 준수 증명서
무게(kg):.001