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IPD70N03S4L04ATMA1
Power MOSFET, N Channel, 30 V, 70 A, 3600 µohm, TO-252 (DPAK), Surface Mount
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제조업체INFINEON
제조업체 부품 번호IPD70N03S4L04ATMA1
주문 코드2480836
AKAIPD70N03S4L-04, SP000274986
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| 수량 | 가격 |
|---|---|
| 1+ | ₩2,368 |
| 10+ | ₩1,485 |
| 100+ | ₩986 |
| 500+ | ₩778 |
| 1000+ | ₩642 |
| 5000+ | ₩581 |
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제품 정보
제조업체INFINEON
제조업체 부품 번호IPD70N03S4L04ATMA1
주문 코드2480836
AKAIPD70N03S4L-04, SP000274986
기술 데이터 시트
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds30V
Continuous Drain Current Id70A
Drain Source On State Resistance3600µohm
Transistor Case StyleTO-252 (DPAK)
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max1.5V
Power Dissipation68W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Product Range-
QualificationAEC-Q101
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
제품 개요
경고
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
기술 사양
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
70A
Transistor Case Style
TO-252 (DPAK)
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
68W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
AEC-Q101
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Drain Source Voltage Vds
30V
Drain Source On State Resistance
3600µohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
1.5V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Malaysia
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Malaysia
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
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제품 준수 증명서
무게(kg):.000503