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IPD80P03P4L07ATMA1
Power MOSFET, P Channel, 30 V, 80 A, 5600 µohm, TO-252 (DPAK), Surface Mount
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제조업체INFINEON
제조업체 부품 번호IPD80P03P4L07ATMA1복사
주문 코드
리릴링2709981RL
컷 테이프2709981
Product RangeOptiMOS-P2
AKAIPD80P03P4L-07, SP000396296
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더 이상 제조되지 않음
포장 옵션
제품 정보
제조업체INFINEON
제조업체 부품 번호IPD80P03P4L07ATMA1복사
주문 코드
리릴링2709981RL
컷 테이프2709981
Product RangeOptiMOS-P2
AKAIPD80P03P4L-07, SP000396296
기술 데이터 시트
Channel TypeP Channel
Drain Source Voltage Vds30V
Continuous Drain Current Id80A
Drain Source On State Resistance5600µohm
Transistor Case StyleTO-252 (DPAK)
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max1.5V
Power Dissipation88W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Product RangeOptiMOS-P2
QualificationAEC-Q101
SVHCNo SVHC (17-Jan-2023)
IPD80P03P4L07ATMA1의 대체 제품
2개 제품을 찾았습니다.
제품 개요
경고
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
기술 사양
Channel Type
P Channel
Continuous Drain Current Id
80A
Transistor Case Style
TO-252 (DPAK)
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
88W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
AEC-Q101
SVHC
No SVHC (17-Jan-2023)
Drain Source Voltage Vds
30V
Drain Source On State Resistance
5600µohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
1.5V
No. of Pins
3Pins
Product Range
OptiMOS-P2
MSL
MSL 1 - Unlimited
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Malaysia
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Malaysia
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:No SVHC (17-Jan-2023)
제품 준수 증명서 다운로드
제품 준수 증명서
무게(kg):.0003