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IPD80R2K8CEATMA1
Power MOSFET, N Channel, 800 V, 1.9 A, 2.4 ohm, TO-252 (DPAK), Surface Mount
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제조업체INFINEON
제조업체 부품 번호IPD80R2K8CEATMA1복사
제조업체 표준 리드 타임12주
주문 코드
리릴링2709949RL
컷 테이프2709949
Product RangeCoolMOS CE
AKAIPD80R2K8CE, SP001130970
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제조업체 표준 리드 타임: 12주
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포장 옵션
| 포장 유형 | 수량 | 단가: | 총계 |
|---|---|---|---|
| 컷 테이프 | 1 | ₩2,348 | ₩2,348 |
| 총계 가격 | ₩2,348 | ||
컷 테이프 & 리릴링
| 수량 | 가격 |
|---|---|
| 1+ | ₩2,348 |
| 10+ | ₩1,113 |
| 100+ | ₩993 |
| 500+ | ₩853 |
| 1000+ | ₩710 |
| 5000+ | ₩567 |
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제품 정보
제조업체INFINEON
제조업체 부품 번호IPD80R2K8CEATMA1복사
제조업체 표준 리드 타임12주
주문 코드
리릴링2709949RL
컷 테이프2709949
Product RangeCoolMOS CE
AKAIPD80R2K8CE, SP001130970
기술 데이터 시트
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds800V
Continuous Drain Current Id1.9A
Drain Source On State Resistance2.4ohm
Transistor Case StyleTO-252 (DPAK)
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max3V
Power Dissipation42W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeCoolMOS CE
Qualification-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
기술 사양
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
1.9A
Transistor Case Style
TO-252 (DPAK)
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
42W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Drain Source Voltage Vds
800V
Drain Source On State Resistance
2.4ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
3V
No. of Pins
3Pins
Product Range
CoolMOS CE
MSL
MSL 1 - Unlimited
기술 문서 (1)
IPD80R2K8CEATMA1의 대체 제품
1개 제품을 찾았습니다.
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
제품 준수 증명서 다운로드
제품 준수 증명서
무게(kg):.0003