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IPD95R450PFD7ATMA1
Power MOSFET, N Channel, 950 V, 13.3 A, 0.35 ohm, TO-252 (DPAK), Through Hole
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제조업체INFINEON
제조업체 부품 번호IPD95R450PFD7ATMA1복사
제조업체 표준 리드 타임10주
주문 코드4125837
Product RangeCoolMOS PFD7 Series
AKASP005547015, IPD95R450PFD7
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| 수량 | 가격 |
|---|---|
| 1+ | ₩4,722 |
| 10+ | ₩2,362 |
| 100+ | ₩2,131 |
| 500+ | ₩1,728 |
| 1000+ | ₩1,570 |
| 5000+ | ₩1,539 |
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주문 배수수량: 1
₩4,722
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제품 정보
제조업체INFINEON
제조업체 부품 번호IPD95R450PFD7ATMA1복사
제조업체 표준 리드 타임10주
주문 코드4125837
Product RangeCoolMOS PFD7 Series
AKASP005547015, IPD95R450PFD7
기술 데이터 시트
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds950V
Continuous Drain Current Id13.3A
Drain Source On State Resistance0.35ohm
Transistor Case StyleTO-252 (DPAK)
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max3.5V
Power Dissipation104W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeCoolMOS PFD7 Series
Qualification-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
기술 사양
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
13.3A
Transistor Case Style
TO-252 (DPAK)
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
104W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
Drain Source Voltage Vds
950V
Drain Source On State Resistance
0.35ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Gate Source Threshold Voltage Max
3.5V
No. of Pins
3Pins
Product Range
CoolMOS PFD7 Series
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
기술 문서 (1)
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
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제품 준수 증명서
무게(kg):.000256