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IPF023N08NF2SATMA1
Power MOSFET, N Channel, 80 V, 209 A, 2000 µohm, TO-263, Surface Mount
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제조업체INFINEON
제조업체 부품 번호IPF023N08NF2SATMA1복사
제조업체 표준 리드 타임20주
주문 코드
리릴링4134234RL
컷 테이프4134234
Product RangeStronglRFET Series
AKASP005578892, IPF023N08NF2S
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| 포장 유형 | 수량 | 단가: | 총계 |
|---|---|---|---|
| 컷 테이프 | 1 | ₩2,929 | ₩2,929 |
| 총계 가격 | ₩2,929 | ||
컷 테이프 & 리릴링
| 수량 | 가격 |
|---|---|
| 1+ | ₩2,929 |
| 10+ | ₩2,636 |
| 100+ | ₩2,480 |
| 500+ | ₩2,304 |
| 1000+ | ₩2,258 |
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제품 정보
제조업체INFINEON
제조업체 부품 번호IPF023N08NF2SATMA1복사
제조업체 표준 리드 타임20주
주문 코드
리릴링4134234RL
컷 테이프4134234
Product RangeStronglRFET Series
AKASP005578892, IPF023N08NF2S
기술 데이터 시트
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds80V
Continuous Drain Current Id209A
Drain Source On State Resistance2000µohm
Transistor Case StyleTO-263
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max3.8V
Power Dissipation214W
No. of Pins7Pins
Operating Temperature Max175°C
Product RangeStronglRFET Series
Qualification-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
기술 사양
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
209A
Transistor Case Style
TO-263
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
214W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
Drain Source Voltage Vds
80V
Drain Source On State Resistance
2000µohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
3.8V
No. of Pins
7Pins
Product Range
StronglRFET Series
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
기술 문서 (1)
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
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제품 준수 증명서
무게(kg):.00175