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IPF129N20NM6ATMA1
Power MOSFET, N Channel, 200 V, 87 A, 0.012 ohm, TO-263 (D2PAK), Surface Mount
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제조업체INFINEON
제조업체 부품 번호IPF129N20NM6ATMA1복사
제조업체 표준 리드 타임52주
주문 코드
컷 테이프4380879
컷 테이프4380879RL
Product RangeOptiMOS 6 Series
AKAIPF129N20NM6, SP005562931
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| 수량 | 가격 |
|---|---|
| 1+ | ₩8,565 |
| 10+ | ₩4,507 |
| 100+ | ₩4,103 |
| 500+ | ₩3,730 |
| 1000+ | ₩3,513 |
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주문 배수수량: 1
₩8,565
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제품 정보
제조업체INFINEON
제조업체 부품 번호IPF129N20NM6ATMA1복사
제조업체 표준 리드 타임52주
주문 코드
컷 테이프4380879
컷 테이프4380879RL
Product RangeOptiMOS 6 Series
AKAIPF129N20NM6, SP005562931
기술 데이터 시트
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds200V
Continuous Drain Current Id87A
Drain Source On State Resistance0.012ohm
Transistor Case StyleTO-263 (D2PAK)
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage15V
Gate Source Threshold Voltage Max4.5V
Power Dissipation234W
No. of Pins7Pins
Operating Temperature Max175°C
Product RangeOptiMOS 6 Series
Qualification-
SVHCLead (25-Jun-2025)
기술 사양
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
87A
Transistor Case Style
TO-263 (D2PAK)
Rds(on) Test Voltage
15V
Power Dissipation
234W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
Drain Source Voltage Vds
200V
Drain Source On State Resistance
0.012ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
4.5V
No. of Pins
7Pins
Product Range
OptiMOS 6 Series
SVHC
Lead (25-Jun-2025)
기술 문서 (1)
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Malaysia
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Malaysia
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:Y-Ex
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:Lead (25-Jun-2025)
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제품 준수 증명서
무게(kg):.00017