페이지 인쇄
IPL60R104C7AUMA1
Power MOSFET, N Channel, 600 V, 20 A, 0.104 ohm, VSON, Surface Mount
이미지는 참고용으로만 제공됩니다. 자세한 내용은 제품 설명을 참조하세요.
제조업체INFINEON
제조업체 부품 번호IPL60R104C7AUMA1
주문 코드2983363
Product RangeCoolMOS C7
AKAIPL60R104C7, SP001298008
귀하의 부품 번호
기술 데이터 시트
22 재고
더 필요하세요?
22 3-4 영업일 이내 배송(영국 재고)
| 수량 | 가격 |
|---|---|
| 1+ | ₩8,639 |
| 10+ | ₩6,226 |
| 100+ | ₩5,161 |
| 500+ | ₩4,578 |
| 1000+ | ₩4,429 |
가격기준Each (Supplied on Cut Tape)
주문 최소수량: 1
주문 배수수량: 1
₩8,639
라인 메모 추가
이 주문에 한해 주문 확인서, 청구서, 발송장에 추가됨,
제품 정보
제조업체INFINEON
제조업체 부품 번호IPL60R104C7AUMA1
주문 코드2983363
Product RangeCoolMOS C7
AKAIPL60R104C7, SP001298008
기술 데이터 시트
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds600V
Continuous Drain Current Id20A
Drain Source On State Resistance0.104ohm
Transistor Case StyleVSON
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max3.5V
Power Dissipation122W
No. of Pins4Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeCoolMOS C7
Qualification-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
제품 개요
경고
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
기술 사양
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
20A
Transistor Case Style
VSON
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
122W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Drain Source Voltage Vds
600V
Drain Source On State Resistance
0.104ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
3.5V
No. of Pins
4Pins
Product Range
CoolMOS C7
MSL
MSL 2A - 4 weeks
기술 문서 (1)
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Malaysia
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Malaysia
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
제품 준수 증명서 다운로드
제품 준수 증명서
무게(kg):.000285