페이지 인쇄
IPP044N03LF2SAKSA1
Power MOSFET, N Channel, 30 V, 53 A, 4350 µohm, TO-220, Through Hole
이미지는 참고용으로만 제공됩니다. 자세한 내용은 제품 설명을 참조하세요.
제조업체INFINEON
제조업체 부품 번호IPP044N03LF2SAKSA1
주문 코드4538814
Product RangeStrongIRFET 2 Series
AKAIPP044N03LF2S, SP005860583
기술 데이터 시트
1,814 재고
더 필요하세요?
1814 3-4 영업일 이내 배송(영국 재고)
| 수량 | 가격 |
|---|---|
| 1+ | ₩1,764 |
| 10+ | ₩1,179 |
| 100+ | ₩849 |
| 500+ | ₩739 |
| 1000+ | ₩568 |
| 5000+ | ₩557 |
가격기준Each
주문 최소수량: 1
주문 배수수량: 1
₩1,764
라인 메모 추가
이 주문에 한해 주문 확인서, 청구서, 발송장에 추가됨,
이 번호는 주문 확인서, 청구서, 발송장, 웹 확인 이메일, 제품 라벨에 추가됩니다.
제품 정보
제조업체INFINEON
제조업체 부품 번호IPP044N03LF2SAKSA1
주문 코드4538814
Product RangeStrongIRFET 2 Series
AKAIPP044N03LF2S, SP005860583
기술 데이터 시트
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds30V
Continuous Drain Current Id53A
Drain Source On State Resistance4350µohm
Transistor Case StyleTO-220
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max2.35V
Power Dissipation75W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Product RangeStrongIRFET 2 Series
Qualification-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
기술 사양
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
53A
Transistor Case Style
TO-220
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
75W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
Drain Source Voltage Vds
30V
Drain Source On State Resistance
4350µohm
Transistor Mounting
Through Hole
Gate Source Threshold Voltage Max
2.35V
No. of Pins
3Pins
Product Range
StrongIRFET 2 Series
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
기술 문서 (1)
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
제품 준수 증명서 다운로드
제품 준수 증명서
무게(kg):.001361