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IPP057N08N3GXKSA1
Power MOSFET, N Channel, 80 V, 80 A, 4900 µohm, TO-220, Through Hole
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더 이상 제조되지 않음
제품 정보
제조업체INFINEON
제조업체 부품 번호IPP057N08N3GXKSA1복사
주문 코드1775626
AKAIPP057N08N3 G, SP000680810
기술 데이터 시트
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds80V
Continuous Drain Current Id80A
Drain Source On State Resistance4900µohm
Transistor Case StyleTO-220
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max2.8V
Power Dissipation150W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Product Range-
Qualification-
MSL-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
IPP057N08N3GXKSA1의 대체 제품
1개 제품을 찾았습니다.
기술 사양
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
80A
Transistor Case Style
TO-220
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
150W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Drain Source Voltage Vds
80V
Drain Source On State Resistance
4900µohm
Transistor Mounting
Through Hole
Gate Source Threshold Voltage Max
2.8V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
-
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Malaysia
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Malaysia
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
제품 준수 증명서 다운로드
제품 준수 증명서
무게(kg):.002