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IPP082N10NF2SAKMA1
Power MOSFET, N Channel, 100 V, 77 A, 7300 µohm, TO-220, Through Hole
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제조업체INFINEON
제조업체 부품 번호IPP082N10NF2SAKMA1
주문 코드3680231
Product RangeStrongIRFET 2
AKAIPP082N10NF2S, SP005548849
기술 데이터 시트
922 재고
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| 수량 | 가격 |
|---|---|
| 1+ | ₩2,991 |
| 10+ | ₩1,007 |
| 100+ | ₩995 |
| 500+ | ₩994 |
| 1000+ | ₩993 |
| 5000+ | ₩992 |
가격기준Each
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제품 정보
제조업체INFINEON
제조업체 부품 번호IPP082N10NF2SAKMA1
주문 코드3680231
Product RangeStrongIRFET 2
AKAIPP082N10NF2S, SP005548849
기술 데이터 시트
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds100V
Continuous Drain Current Id77A
Drain Source On State Resistance7300µohm
Transistor Case StyleTO-220
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max3V
Power Dissipation100W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Product RangeStrongIRFET 2
Qualification-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
기술 사양
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
77A
Transistor Case Style
TO-220
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
100W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
Drain Source Voltage Vds
100V
Drain Source On State Resistance
7300µohm
Transistor Mounting
Through Hole
Gate Source Threshold Voltage Max
3V
No. of Pins
3Pins
Product Range
StrongIRFET 2
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
기술 문서 (1)
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Malaysia
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Malaysia
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
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제품 준수 증명서
무게(kg):.002