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IPW60R080P7XKSA1
Power MOSFET, N Channel, 600 V, 37 A, 0.069 ohm, TO-247, Through Hole
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제조업체INFINEON
제조업체 부품 번호IPW60R080P7XKSA1
주문 코드2986487
Product RangeCoolMOS P7
AKAIPW60R080P7, SP001647040
기술 데이터 시트
139 재고
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| 수량 | 가격 |
|---|---|
| 1+ | ₩8,002 |
| 10+ | ₩4,168 |
| 100+ | ₩3,854 |
| 500+ | ₩3,540 |
| 1000+ | ₩3,231 |
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₩8,002
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제품 정보
제조업체INFINEON
제조업체 부품 번호IPW60R080P7XKSA1
주문 코드2986487
Product RangeCoolMOS P7
AKAIPW60R080P7, SP001647040
기술 데이터 시트
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds600V
Continuous Drain Current Id37A
Drain Source On State Resistance0.069ohm
Transistor Case StyleTO-247
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max3.5V
Power Dissipation129W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeCoolMOS P7
Qualification-
MSLMSL 1 - Unlimited
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
기술 사양
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
37A
Transistor Case Style
TO-247
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
129W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Drain Source Voltage Vds
600V
Drain Source On State Resistance
0.069ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Gate Source Threshold Voltage Max
3.5V
No. of Pins
3Pins
Product Range
CoolMOS P7
MSL
MSL 1 - Unlimited
기술 문서 (1)
IPW60R080P7XKSA1의 대체 제품
1개 제품을 찾았습니다.
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Malaysia
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Malaysia
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
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제품 준수 증명서
무게(kg):.00227