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IPW65R110CFDAFKSA1
Power MOSFET, AEC-Q101, N Channel, 650 V, 31.2 A, 0.099 ohm, TO-247, Through Hole
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제조업체INFINEON
제조업체 부품 번호IPW65R110CFDAFKSA1
주문 코드2726081
Product RangeCoolMOS CFDA
AKAIPW65R110CFDA, SP000895236
기술 데이터 시트
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제품 정보
제조업체INFINEON
제조업체 부품 번호IPW65R110CFDAFKSA1
주문 코드2726081
Product RangeCoolMOS CFDA
AKAIPW65R110CFDA, SP000895236
기술 데이터 시트
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds650V
Continuous Drain Current Id31.2A
Drain Source On State Resistance0.099ohm
Transistor Case StyleTO-247
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation277.8W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeCoolMOS CFDA
Qualification-
MSL-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
기술 사양
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
31.2A
Transistor Case Style
TO-247
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
277.8W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Drain Source Voltage Vds
650V
Drain Source On State Resistance
0.099ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
No. of Pins
3Pins
Product Range
CoolMOS CFDA
MSL
-
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법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
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제품 준수 증명서
무게(kg):.0004