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IRF3710ZPBF
Power MOSFET, N Channel, 100 V, 59 A, 0.018 ohm, TO-220AB, Through Hole
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| 수량 | 가격 |
|---|---|
| 1+ | ₩2,971 |
| 10+ | ₩1,550 |
| 100+ | ₩1,104 |
| 500+ | ₩991 |
| 1000+ | ₩937 |
| 5000+ | ₩882 |
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제품 정보
제조업체INFINEON
제조업체 부품 번호IRF3710ZPBF
주문 코드1013470
AKASP001564400
기술 데이터 시트
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds100V
Continuous Drain Current Id59A
Drain Source On State Resistance0.018ohm
Transistor Case StyleTO-220AB
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation160W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Product Range-
Qualification-
MSL-
제품 개요
- Single N-channel HEXFET® power MOSFET
- Advanced process technology
- Fast switching
- Ultra low on-resistance
- Dynamic dv/dt rating
- Repetitive avalanche allowed up to Tjmax
- Product qualification according to JEDEC standard
- High-current carrying capability package
- Capable of being wave-soldered
경고
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
기술 사양
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
59A
Transistor Case Style
TO-220AB
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
160W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Drain Source Voltage Vds
100V
Drain Source On State Resistance
0.018ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
-
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법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Philippines
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Philippines
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
제품 준수 증명서 다운로드
제품 준수 증명서
무게(kg):.002042