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IRF4905PBF
Power MOSFET, P Channel, 55 V, 74 A, 0.02 ohm, TO-220AB, Through Hole
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제조업체INFINEON
제조업체 부품 번호IRF4905PBF복사
제조업체 표준 리드 타임18주
주문 코드8648190
Product RangeHEXFET Series
AKASP001571330
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| 1000+ | ₩1,517 |
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제품 정보
제조업체INFINEON
제조업체 부품 번호IRF4905PBF복사
제조업체 표준 리드 타임18주
주문 코드8648190
Product RangeHEXFET Series
AKASP001571330
기술 데이터 시트
Channel TypeP Channel
Drain Source Voltage Vds55V
Continuous Drain Current Id74A
Drain Source On State Resistance0.02ohm
Transistor Case StyleTO-220AB
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation200W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Product RangeHEXFET Series
Qualification-
MSL-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
제품 개요
The IRF4905PBF is -55V single P channel HEXFET power MOSFET in TO-220AB package. This MOSFET features extremely low on resistance per silicon area, dynamic dv/dt rating, rugged, fast switching and fully avalanche rated as a result, power MOSFET are well know to provide extremely efficiency and reliability which can be used in wide variety of applications.
- Drain to source voltage Vds is -55V
- Gate to source voltage is ±20V
- On resistance Rds(on) of 20mohm at Vgs of -10V
- Power dissipation Pd of 200W at 25°C
- Continuous drain current Id of -74A at Vgs 10V and 25°C
- Junction temperature range from -55°C to 175°C
기술 사양
Channel Type
P Channel
Continuous Drain Current Id
74A
Transistor Case Style
TO-220AB
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
200W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Drain Source Voltage Vds
55V
Drain Source On State Resistance
0.02ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
No. of Pins
3Pins
Product Range
HEXFET Series
MSL
-
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법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
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제품 준수 증명서
무게(kg):.002041