페이지 인쇄
IRF5805TRPBF
Power MOSFET, P Channel, 30 V, 3.8 A, 0.098 ohm, TSOP, Surface Mount
이미지는 참고용으로만 제공됩니다. 자세한 내용은 제품 설명을 참조하세요.
더 이상 제조되지 않음
포장 옵션
제품 정보
제조업체INFINEON
제조업체 부품 번호IRF5805TRPBF복사
주문 코드
리릴링1298522RL
컷 테이프1298522
기술 데이터 시트
Channel TypeP Channel
Drain Source Voltage Vds30V
Continuous Drain Current Id3.8A
Drain Source On State Resistance0.098ohm
Transistor Case StyleTSOP
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max2.5V
Power Dissipation2W
No. of Pins6Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
IRF5805TRPBF의 대체 제품
1개 제품을 찾았습니다.
제품 개요
The IRF5805TRPBF is a HEXFET® single P-channel Power MOSFET utilizes advanced processing techniques to achieve the extremely low ON-resistance per silicon area. This benefit provides the designer with an extremely efficient device for use in battery and load management applications. It is ideal for applications where printed circuit board space is at a premium. It's unique thermal design and RDS (ON) reduction enables a current-handling increase of nearly 300%. It is ideal for DC switches and load switch.
- Low gate charge
- Halogen-free
애플리케이션
Power Management
기술 사양
Channel Type
P Channel
Continuous Drain Current Id
3.8A
Transistor Case Style
TSOP
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
2W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
Drain Source Voltage Vds
30V
Drain Source On State Resistance
0.098ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
2.5V
No. of Pins
6Pins
Product Range
-
관련 제품
2개 제품을 찾았습니다.
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Malaysia
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Malaysia
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
제품 준수 증명서 다운로드
제품 준수 증명서
무게(kg):.000117