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IRF6629TR1PBF
Power MOSFET, N Channel, 25 V, 29 A, 2100 µohm, DirectFET MX, Surface Mount
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제품 정보
제조업체INFINEON
제조업체 부품 번호IRF6629TR1PBF복사
주문 코드1388584
기술 데이터 시트
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds25V
Continuous Drain Current Id29A
Drain Source On State Resistance2100µohm
Transistor Case StyleDirectFET MX
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max1.8V
Power Dissipation2.8mW
No. of Pins5Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
기술 사양
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
29A
Transistor Case Style
DirectFET MX
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
2.8mW
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
Drain Source Voltage Vds
25V
Drain Source On State Resistance
2100µohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
1.8V
No. of Pins
5Pins
Product Range
-
MSL
MSL 3 - 168 hours
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Mexico
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Mexico
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:추후 공고함
제품 준수 증명서 다운로드
제품 준수 증명서
무게(kg):.001