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IRF6709S2TR1PBF
Power MOSFET, N Channel, 25 V, 12 A, 7800 µohm, DirectFET S1, Surface Mount
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제품 정보
제조업체INFINEON
제조업체 부품 번호IRF6709S2TR1PBF복사
주문 코드1688580
기술 데이터 시트
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds25V
Continuous Drain Current Id12A
Drain Source On State Resistance7800µohm
Transistor Case StyleDirectFET S1
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max1.8V
Power Dissipation1.8W
No. of Pins4Pins
Operating Temperature Max175°C
Product Range-
Qualification-
기술 사양
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
12A
Transistor Case Style
DirectFET S1
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
1.8W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
Drain Source Voltage Vds
25V
Drain Source On State Resistance
7800µohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
1.8V
No. of Pins
4Pins
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
기술 문서 (1)
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Mexico
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Mexico
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:추후 공고함
제품 준수 증명서 다운로드
제품 준수 증명서
무게(kg):.0001