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IRF7314PBF
Dual MOSFET, P Channel, 20 V, 4.2 A
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더 이상 제조되지 않음
제품 정보
제조업체INFINEON
제조업체 부품 번호IRF7314PBF복사
주문 코드9102213
기술 데이터 시트
Channel TypeP Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel-
Drain Source Voltage Vds P Channel20V
Continuous Drain Current Id N Channel-
Continuous Drain Current Id P Channel4.2A
Transistor Case StyleSOIC
No. of Pins8Pins
Power Dissipation N Channel-
Power Dissipation P Channel1.4W
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
IRF7314PBF의 대체 제품
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제품 개요
The IRF7314PBF is a dual P-channel MOSFET utilizes advanced processing techniques to achieve the lowest possible ON-resistance per silicon area. This benefit combined with the fast switching speed and ruggedized device. The HEXFET Power MOSFET is extremely efficient device for use in a wide variety of applications. The SO-8 has been modified through a customized lead-frame for enhanced thermal characteristics and dual-die capability making it ideal in a variety of power applications. With these improvements, multiple devices can be used in an application with dramatically reduced board space.
- Generation V technology
- Ultra low ON-resistance
- Surface-mount device
- Fully avalanche rated
애플리케이션
Industrial, Power Management
기술 사양
Channel Type
P Channel
Drain Source Voltage Vds P Channel
20V
Continuous Drain Current Id P Channel
4.2A
No. of Pins
8Pins
Power Dissipation P Channel
1.4W
Product Range
-
Drain Source Voltage Vds N Channel
-
Continuous Drain Current Id N Channel
-
Transistor Case Style
SOIC
Power Dissipation N Channel
-
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
기술 문서 (1)
관련 제품
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법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Philippines
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Philippines
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:추후 공고함
제품 준수 증명서 다운로드
제품 준수 증명서
무게(kg):.000318