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IRF7341TRPBFXTMA1
Dual MOSFET, Dual N Channel, 55 V, 4.7 A, 0.043 ohm
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제조업체INFINEON
제조업체 부품 번호IRF7341TRPBFXTMA1복사
제조업체 표준 리드 타임52주
주문 코드
리릴링4236356RL
컷 테이프4236356
Product RangeHEXFET Series
AKASP005876277
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포장 옵션
| 포장 유형 | 수량 | 단가: | 총계 |
|---|---|---|---|
| 컷 테이프 | 1 | ₩1,901 | ₩1,901 |
| 총계 가격 | ₩1,901 | ||
컷 테이프 & 리릴링
| 수량 | 가격 |
|---|---|
| 1+ | ₩1,901 |
| 10+ | ₩1,141 |
| 100+ | ₩771 |
| 500+ | ₩620 |
| 1000+ | ₩398 |
| 5000+ | ₩391 |
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제품 정보
제조업체INFINEON
제조업체 부품 번호IRF7341TRPBFXTMA1복사
제조업체 표준 리드 타임52주
주문 코드
리릴링4236356RL
컷 테이프4236356
Product RangeHEXFET Series
AKASP005876277
기술 데이터 시트
Channel TypeDual N Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel55V
Drain Source Voltage Vds P Channel-
Continuous Drain Current Id N Channel4.7A
Continuous Drain Current Id P Channel-
Drain Source On State Resistance N Channel0.043ohm
Drain Source On State Resistance P Channel-
Transistor Case StyleSO-8
No. of Pins8Pins
Power Dissipation N Channel2W
Power Dissipation P Channel-
Operating Temperature Max150°C
Product RangeHEXFET Series
Qualification-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
기술 사양
Channel Type
Dual N Channel
Drain Source Voltage Vds P Channel
-
Continuous Drain Current Id P Channel
-
Drain Source On State Resistance P Channel
-
No. of Pins
8Pins
Power Dissipation P Channel
-
Product Range
HEXFET Series
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Drain Source Voltage Vds N Channel
55V
Continuous Drain Current Id N Channel
4.7A
Drain Source On State Resistance N Channel
0.043ohm
Transistor Case Style
SO-8
Power Dissipation N Channel
2W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
기술 문서 (1)
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
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제품 준수 증명서
무게(kg):.000139